买卖IC网 >> 产品目录 >> SIZ300DT-T1-GE3 MOSFET 30V 11A/28A 16.7/31W 24mohm/11mohm @ 10V datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SIZ300DT-T1-GE3

库存数量：16206
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 30V 11A/28A 16.7/31W 24mohm/11mohm @ 10V
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 30V 11A/28A 16.7/31W 24mohm/11mohm @ 10V
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制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 30 V
闸/源击穿电压 20 V
漏极连续电流 9.8 A, 14.9 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 0.02 Ohms, 0.009 Ohms
配置 Dual
最大工作温度
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 PowerPAIR
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SIZ300DT-T1-GE3
SIZ340DT-T1-GE3
SIZ700DT-T1-GE3
SIZ702DT-T1-GE3
SIZ704DT-T1-GE3
SIZ710DT-T1-GE3
供应商
公司名
电话
上海鑫科润电子科技有限公司 18521007236 鑫科润
深圳市德江源电子有限公司 82966416 张先生
北京耐芯威科技有限公司 010-62962871 刘先生
深圳市科翼源电子有限公司 13510998172 朱小姐
深圳市毅创辉电子科技有限公司 19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697 雷春艳
集好芯城 0755-23607487 张育豪 13360528695
朱培 18356208742 朱培
万三科技（深圳）有限公司 18818598465 王俊杰
深圳市诚创信科技有限公司 13135041015 廖敏
  • SIZ300DT-T1-GE3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 0.924 0.924
    10 0.8279999 8.28
    100 0.76 76
    250 0.732 183